金融界2025年1月31日新闻，国度常识产权局音信显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种拥有低疾轴发散角下波导层的氮化镓半导体激光器元件”的专利，公然号 CN 119381889 A，申请日期为2024年9月。

　　专利摘要显示，本发觉公然了一种拥有低疾轴发散角下波导层的氮化镓半导体激光器元件，从下至上循序包含衬底、下包覆层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挠层、上包覆层和接触层，所述下波导层为低疾轴发散角下波导层；所述低疾轴发散角下波导层包含第一低疾轴发散角下波导层和第二低疾轴发散角下波导层；所述低疾轴发散角下波导层厚度为5～1000nm。本发觉下波导层的空穴转移率和电子转移率变动角度和变动弧线，调控有源层和下波导层正在激光激射后的空穴和电子的准费米能级钉扎水准，裁汰有源层及下波导层的远离均衡态的对称性破缺正在阈值处呈现的突变几率，贬抑IV弧线Kink题目和疾轴发散角上跳题目。

　　天眼查材料显示，安徽格恩半导体有限公司，设置于2021年，位于六安市，是一家以从事谋略机、通讯和其他电子兴办修造业为主的企业。企业注册本钱8505.7882万群多币，实缴本钱1316.6667万群多币。通过天眼查大数据判辨，安徽格恩半导体有限公司共对表投资了1家企业，参加招投标项目4次，常识产权方面有牌号音信2条，专利音信428条，其它企业还具有行政许可12个。